不揮発性次世代メモリー 高速、大容量、低コスト

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エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが不揮発性次世代メモリーを共同開発するようです

このメモリーはReRAM(Resistance Random Access Memory)という電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリで、
 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい
 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能
 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速
と非常に大きな期待のかかるメモリーなのです

以前パナソニックのSDXCカード64GBクラス10が6万円という記事を買いましたが、これよりはるかに性能の高いメモリーカードが次世代メモリーによって実現するかもしれないのです。

ちなみに6年前はグリーンハウスの32MBのUSBメモリーが2400円という、今では考えられないような高価なものでした
今は同じ値段で300倍もの容量のメモリーが買えてしまえます

技術の進歩ってホントにすごいんですねぇ

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